Perbedaan utama antara wafer silikon monokristalin tipe N dan tipe P untuk fotovoltaik surya
Perbedaan utama antara wafer silikon monokristalin tipe N dan tipe P untuk fotovoltaik surya
Wafer silikon monokristalin memiliki sifat fisik logam kuasi, dengan konduktivitas yang lemah, dan konduktivitasnya meningkat seiring dengan meningkatnya suhu. Mereka juga memiliki sifat semikonduktor yang signifikan. Dengan mendoping wafer silikon monokristalin ultra murni dengan sejumlah kecil boron, konduktivitas dapat ditingkatkan untuk membentuk semikonduktor silikon tipe-P. Demikian pula, doping dengan sejumlah kecil fosfor atau arsenik juga dapat meningkatkan konduktivitas, membentuk semikonduktor silikon tipe-N. Lantas, apa perbedaan wafer silikon tipe P dan tipe N?
Perbedaan utama antara wafer silikon monokristalin tipe-P dan tipe-N adalah sebagai berikut:
Dopan: Dalam silikon monokristalin, doping dengan fosfor menjadikannya tipe-N, dan doping dengan boron menjadikannya tipe-P.
Konduktivitas: Tipe N adalah penghantar elektron, dan tipe P adalah penghantar lubang.
Kinerja: Semakin banyak fosfor yang diolah menjadi tipe-N, semakin banyak elektron bebas, semakin kuat konduktivitasnya, dan semakin rendah resistivitasnya. Semakin banyak boron yang diolah menjadi tipe-P, semakin banyak lubang yang dihasilkan dengan mengganti silikon, semakin kuat konduktivitasnya, dan semakin rendah resistivitasnya.
Saat ini, wafer silikon tipe P adalah produk utama di industri fotovoltaik. Wafer silikon tipe P mudah diproduksi dan berbiaya rendah. Wafer silikon tipe-N biasanya memiliki masa pakai pembawa minoritas yang lebih lama, dan efisiensi sel surya dapat ditingkatkan, namun prosesnya lebih rumit. Wafer silikon tipe-N diolah dengan fosfor, yang memiliki kelarutan yang buruk dengan silikon. Selama penarikan batang, fosfor tidak terdistribusi secara merata. Wafer silikon tipe P didoping dengan boron, yang memiliki koefisien segregasi serupa dengan silikon, dan keseragaman dispersi mudah dikontrol.